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雜質(zhì)半導(dǎo)體

當(dāng)少量雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體中時,雜質(zhì)原子附近的周期電位場被擾亂并形成另外的束縛態(tài),這在禁帶中產(chǎn)生額外的雜質(zhì)能級。

提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì),相應(yīng)的能級稱為施主能級,位于禁帶附近的導(dǎo)帶底部附近。

例如,當(dāng)四價元素或硅晶體摻雜有諸如磷,砷或銻等五價元素的雜質(zhì)原子時,雜質(zhì)原子是晶格的分子,并且五個價電子中的四個被包圍由周圍的鍺(或硅)。

原子形成共價鍵,并且額外的電子與雜質(zhì)原子結(jié)合以產(chǎn)生淺的氫狀供體水平。

電子在供體能級轉(zhuǎn)變到導(dǎo)帶所需的能量遠(yuǎn)小于從價帶到導(dǎo)帶激發(fā)所需的能量,并且很容易激發(fā)導(dǎo)帶成為電子載體,從而導(dǎo)電用于摻雜施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體的電。

載流子主要是被激發(fā)到導(dǎo)帶中的電子,并且是電子導(dǎo)電型,其被稱為N型半導(dǎo)體。

由于固有激發(fā)電子 - 空穴對總是存在于半導(dǎo)體中,所以電子是n型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。

因此,能夠提供空穴載流子的雜質(zhì)被稱為受主雜質(zhì),并且相應(yīng)的能級被稱為受主能級,并且位于價帶頂部附近的禁帶之下。

例如,當(dāng)微量的三價元素如硼,鋁或鎵摻入鍺或硅晶體時,雜質(zhì)原子與周圍的四個鍺(或硅)原子形成共價鍵,并且缺乏電子存在,因此存在空缺。

該空位的相應(yīng)能量狀態(tài)是受體水平。

由于受主能級接近價帶,價帶中的電子很容易被激發(fā)以填充受主能級的空位,使受主雜質(zhì)原子成為負(fù)中心。

同時,價帶在價帶中留下空位,形成自由空穴載流子。

該過程所需的電離能量遠(yuǎn)小于本征半導(dǎo)體的電離能量。

因此,此時空穴是多數(shù)載流子,雜質(zhì)半導(dǎo)體主要通過空穴傳導(dǎo),即空穴傳導(dǎo)型,稱為p型半導(dǎo)體。

在P型半導(dǎo)體中,空穴是多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子。

在半導(dǎo)體器件的各種效應(yīng)中,少數(shù)載流子通常起著重要作用。

不含雜質(zhì)或缺陷的純半導(dǎo)體,其內(nèi)部電子和空穴濃度相等,稱為本征半導(dǎo)體。

由于制造器件的性能不穩(wěn)定,本征半導(dǎo)體不適合制造半導(dǎo)體器件。

相反,其中摻雜有一定量雜質(zhì)的半導(dǎo)體被稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體或非本征半導(dǎo)體,其是實際用于制造半導(dǎo)體器件和集成電路的材料。

將少量三價元素雜質(zhì)如硼(或銦)摻入硅(或鍺)晶體中。

由于硼原子僅具有三個價電子,當(dāng)它與周圍的硅原子形成共價鍵時,它缺少電子。

水晶中出現(xiàn)空缺。

當(dāng)相鄰共價鍵上的電子在其他激發(fā)條件下經(jīng)受熱振動或能量時,可以填充空位,使硼原子成為固定的負(fù)離子和原始的硅原子。

共價鍵由缺少電子形成,半導(dǎo)體是中性的。

由于硼原子可以接受硅晶體中的電子,因此硼被認(rèn)為是受主雜質(zhì)或P型雜質(zhì)。

除硼外還添加硅或鍺受體雜質(zhì),還有銦和鋁。

加入砷化鎵的受體原子包括元素周期表中的II族元素(作為鎵原子的受體)或IV族元素(作為砷原子的受體)。

P型半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)值得注意的是,在產(chǎn)生空穴時不會產(chǎn)生新的自由電子,但原始晶體本身仍會產(chǎn)生少量的電子 - 空穴對。

通過控制摻入的雜質(zhì)的量,可以控制孔的數(shù)量。

在P型半導(dǎo)體中,空穴的數(shù)量遠(yuǎn)大于自由電子的數(shù)量。

在這種半導(dǎo)體中,空穴傳導(dǎo)占主導(dǎo)地位,因此空穴是多數(shù)載流子,自由電子是少數(shù)載流子。

通過模擬P型半導(dǎo)體,為了在半導(dǎo)體中產(chǎn)生過量電子,可以將一種施主雜質(zhì)或N型雜質(zhì)摻入硅(或鍺)晶體中。

供體原子是摻雜半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)中的多于一個電子。

在硅工藝中,典型的供體原子是磷,砷和銻。

在砷化鎵工藝中,所用的供體原子包括元素周期表中的VI族元素(這些是砷原子的供體)或IV族元素(用作鎵原子的供體)。

當(dāng)將施主原子添加到半導(dǎo)體中時,其過量的電子容易被熱激發(fā)并且脫離共價鍵而變成自由電子。

自由電子參與傳導(dǎo)電流,但在其移動后,它在供體的原子位置留下固定的,不可移動的正離子,使半導(dǎo)體保持中性。

值得指出的是,在產(chǎn)生自由電子的同時,不會產(chǎn)生相應(yīng)的空穴。

它被稱為電子半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體,因為由于摻雜有施主原子的半導(dǎo)體而存在過量的自由電子。

在N型半導(dǎo)體中,電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。

N型半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)