根據(jù)摩爾定律的延續(xù)，從14nm，7nm再到5nm，芯片制造工藝技術(shù)已經(jīng)取得了突破。

當(dāng)5nm剛剛開始實(shí)現(xiàn)大規(guī)模突破時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)在2nm芯片制程技術(shù)的研究和開發(fā)中取得了重大突破，并開始向1nm制程邁進(jìn)。

臺(tái)灣媒體透露，臺(tái)積電在2nm制程上取得了重大的內(nèi)部突破。

根據(jù)臺(tái)積電的介紹，在理想條件下，2nm制程芯片將在2023年下半年進(jìn)行小規(guī)模試生產(chǎn)。

如果什么都沒(méi)有發(fā)生，則將在2024年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

2nm的突破將再次擴(kuò)大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，同時(shí)繼續(xù)遵循摩爾定律并繼續(xù)推進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。

預(yù)計(jì)蘋果，高通，NVIDIA，AMD和其他客戶將率先采用其2nm工藝。

臺(tái)積電可能再次駁回先前關(guān)于摩爾定律失敗的結(jié)論。

盡管臺(tái)積電非常樂(lè)觀，但根據(jù)物理定律，當(dāng)芯片工藝達(dá)到極限時(shí)，由于隧穿效應(yīng)，芯片中的電子無(wú)法充分發(fā)揮其全部強(qiáng)度。

相應(yīng)地，制造商的成本將成倍增加。

據(jù)三星介紹，其在5nm工藝研發(fā)上的投資已達(dá)4.8億美元。

在2nm制程中，臺(tái)積電將放棄已經(jīng)使用多年的FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管），甚至不使用三星計(jì)劃在3nm制程中使用的GAAFET（環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即納米線。

（納米線），但將其擴(kuò)展為“ MBCFET” （多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管），也稱為納米片。

從GAAFET到MBCFET，從納米線到納米片，可以看作是從二維到三維的飛躍，這可以極大地改善電路控制并降低泄漏率。

新過(guò)程的成本將越來(lái)越高。

三星已經(jīng)在5nm工藝的研究和開發(fā)方面投資了4.8億美元，而在3nm GAAFET領(lǐng)域的投資將大大超過(guò)5億美元。

因此，盡管臺(tái)積電在2nm芯片的開發(fā)方面取得了重大突破，但仍需要在批量生產(chǎn)之前解決更多的問(wèn)題。