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富士電機(jī)開發(fā)用于HEV的直接水冷式汽車IGBT模塊

富士電機(jī)和日本山梨大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種小型輕量的直接水冷式汽車IGBT模塊,并在國(guó)際功率半導(dǎo)體大會(huì)“ ISPSD 2013”??上進(jìn)行了介紹。

(由日本電氣學(xué)會(huì)主辦,2013年5月26日至30日在日本石川縣金澤市舉行)宣布了該模塊中使用的技術(shù)。

該模塊的耐壓為1200V,電流為500A,面積為320mm×170mm。

據(jù)報(bào)道,在國(guó)外,該模塊已用于將于2012年底推出的混合動(dòng)力汽車(HEV),而在日本,它將配備計(jì)劃于2013年6月推出的混合動(dòng)力汽車。

冷卻的IGBT模塊用于將IGBT芯片封裝在陶瓷基板上。

金屬板稱為“基礎(chǔ)板”。

將散熱器放置在基板下方,然后將散熱器放置在金屬板下方。

直接水冷式IGBT模塊省去了基板,并在散熱器上配置了帶有IGBT芯片的陶瓷基板,并用水冷卻了散熱器。

其他公司還開發(fā)了用于車載的直接水冷式IGBT模塊,但是這種開發(fā)的特點(diǎn)是陶瓷基板使用Al2O3,散熱器使用鋁。

大多數(shù)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品都將Si3N4用于陶瓷基板,將銅用于散熱器,或?qū)l2O3用于陶瓷基板,將銅用于散熱器。

這次使用Al2O3的主要目的是降低熱阻并使IGBT模塊更小。

盡管Al2O3的熱導(dǎo)率低于Si3N4,但它具有很強(qiáng)的應(yīng)力承受能力,并且很容易變薄,因此可以降低熱阻。

另外,當(dāng)陶瓷基板使用Al 2 O 3時(shí),可以使封裝在基板上的銅配線變厚,從而可以進(jìn)一步降低熱阻。

通過(guò)這些方法,與原始水冷模塊相比,這種直接水冷模塊將熱阻降低了約30%。

在散熱器中使用鋁主要是為了減輕重量。

但是,Al2O3和鋁的熱膨脹系數(shù)相差很大,熱循環(huán)過(guò)程中承受的應(yīng)力會(huì)增加。

因此,這次用于焊接Al2O3和鋁的焊料材料得到了改進(jìn)。

該模塊使用錫銻(Sn-Sb)焊料,研究小組使用了四種類型(組成比不同的錫銻焊料)(類型1至4)來(lái)研究加熱周期中焊料裂紋的狀態(tài)。

最后,即使在-40°C至+ 105°C的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行了2000次熱循環(huán)測(cè)試后,在制造過(guò)程中易于使用的非裂紋“ Type3”的實(shí)際使用也未顯示任何裂紋。

C。

行業(yè)信息

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